摘要：目前瑞士和中國的研究人員共同制造出具有五個(gè)III族氮化物半導(dǎo)體溝道能級的三柵極金屬氧化物半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管,從而提高了靜電控制和驅(qū)動電流。瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EPFL)和中國的Enkris半導(dǎo)體公司所制造的材料結(jié)構(gòu)由5個(gè)平行層組成,包括10nm氮化鋁鎵(AlGaN)阻擋層,1nm AlN間隔層和10nm GaN溝道(圖1)。