摘要：為解決在脈沖遠(yuǎn)場渦流檢測中檢測線圈體積較大、控件分辨力低且在低頻域靈敏度差的問題,通過有限元仿真,對不同位置不同深度的缺陷進(jìn)行了基于磁場測量的脈沖遠(yuǎn)場渦流檢測非磁性平板仿真。結(jié)果表明:在對激勵線圈施加屏蔽后可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)場渦流效應(yīng),當(dāng)缺陷位于激勵線圈與二維節(jié)點(diǎn)中間時(shí),檢測效果最好,并且缺陷深度與磁通密度差分幅值密切相關(guān),且具有良好的線性關(guān)系,可以實(shí)現(xiàn)對缺陷的定位及定量分析。