Sb2(SSe)3薄膜的兩步法制備及其在太陽(yáng)電池中的應(yīng)用
作者：劉志遠(yuǎn); 薛仕虎; 袁敏; 王瑞; 張磊; 吳大軍; 高小蕊; 陶石; 房勇; 韓志達(dá); 錢斌; 江學(xué)范 常熟理工學(xué)院物理與電子工程學(xué)院; 江蘇常熟215500
摘要：本文首先采用磁控濺射工藝在FTO襯底上沉積Sb2S3薄膜,然后通過(guò)Se化處理工藝制備Sb2(SSe)3薄膜.利用X射線衍射、掃描電子顯微鏡及紫外-可見分光光度計(jì)對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)及光學(xué)性能進(jìn)行了分析.在此基礎(chǔ)上,初步制備了上襯底結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)電池器件并對(duì)其性能進(jìn)行了測(cè)試.結(jié)果表明,隨著Se化溫度的提高,所制備的Sb2(SSe)3薄膜晶粒逐漸變大,同時(shí)光學(xué)帶隙逐漸降低.這主要是由于在Se化過(guò)程中,Se原子替代Sb2S3中S原子的位置所造成的.所制備的太陽(yáng)電池器件開路電壓達(dá)到了469.3mV,二極管理想因子為2.6,反向飽和電流為3.389×10-8A.
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