基于SiC基底的Y2O3/Al2O3堆棧MOS電容的特性研究
作者：李誠瞻; 趙艷黎; 吳煜東; 陳喜明; 賈仁需 新型功率半導(dǎo)體器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 江西株洲412001; 株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司; 江西株洲412001; 西安電子科技大學(xué); 西安710072
摘要：通過在n型碳化硅(SiC)晶圓上用物理氣相沉積法(PVD)和原子層沉積法(ALD)分別沉積Y2O3介質(zhì)和Al2O3,形成金屬/Al2O3/Y2O3/SiC高k介質(zhì)堆棧結(jié)構(gòu)MOS電容。X射線光電子能譜(XPS)分析研究Al2O3/Y2O3堆棧結(jié)構(gòu)氧化層介質(zhì)之間以及氧化層與SiC晶圓之間的相互擴(kuò)散和反應(yīng)關(guān)系;研究不同金屬電極MOS電容的C-V特性,Ni電極MOS電容具有良好的穩(wěn)定性,對(duì)介質(zhì)層的相對(duì)介電常數(shù)影響最小,Mg電極MOS電容的理想平帶電壓最小,同時(shí)氧化層陷阱密度最小;隨著C-V測(cè)試頻率的降低,氧化層電容Cox逐漸增加,Al2O3/Y2O3介質(zhì)層的相對(duì)介電常數(shù)逐漸增大,等效氧化層厚度(EOT)減小,平帶電容電壓減小。
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