摘要：本文采用主客體交錯結構的發(fā)光層,即發(fā)光層是由多組主體材料CBP和客體材料Ir(piq)2(acac)異質結堆疊構成的。為了改善器件的性能,分別優(yōu)化了單主體層和單客體層的厚度。研究表明,單主體層厚度為3~4 nm,單客體層厚度為0.3 nm時,器件能夠獲得的最大電流效率為3.92 cd/A,色純度和發(fā)光穩(wěn)定性俱佳,1 mA工作電流下的CIE色坐標為(0.669 5,0.308 5),當工作電流從0.1 mA變化到1 mA,色度坐標的變化值(Δ(x,y))僅為(0.004 2,0.002 0)。所采用的主客體交錯發(fā)光層的制備方法,工藝簡單,且因為能分別調整主客體層的厚度而改善因客體分子聚集或因長程偶極子間相互作用對發(fā)光效率的影響,為非摻雜磷光有機發(fā)光二極管的制備提供了思路。