摘要：采用電流加速的電應(yīng)力老化方法研究GaN基綠光 LED芯片的失效機理。LED芯片在經(jīng)過60 mA 電流老化424 h后,其發(fā)光效率總體趨勢都是隨老化時間增加而減小,但是小測量電流相比于大測量電流的發(fā)光效率衰減程度更為明顯。同時,在正向偏壓下電流電壓曲線基本沒有變化,而反向偏壓下的反向電流隨老化時間的增加而快速增加。筆者認(rèn)為在電應(yīng)力老化作用下,隨老化時間增加,有源區(qū)的缺陷能級增多,在正向偏壓下,缺陷能級起到一個有效陷阱的作用,增加了載流子的壽命,降低了輻射復(fù)合的幾率,使得發(fā)光效率降低,但是并沒有減小正向偏壓下的電流,而反向偏壓時,缺陷能級起到了一個漏電通道的作用,使得反向電流增大。