摘要：采用酞菁鐵高溫裂解法在鍍有鎳金緩沖層的硅基底上生長(zhǎng)了碳納米管薄膜(CNTs),并采用二極結(jié)構(gòu)在單脈沖模式下研究了其強(qiáng)流脈沖發(fā)射特性。結(jié)果表明:在脈沖電場(chǎng)峰值相同的條件下(~12.1V/μm),陰陽(yáng)極間距越小,冷陰極的發(fā)射電流越大,且冷陰極的開(kāi)啟場(chǎng)強(qiáng)越小;當(dāng)陰陽(yáng)極間距為14cm時(shí),CNTs薄膜的強(qiáng)流脈沖發(fā)射電流峰值為312A(電流密度為15.9A/cm~2),對(duì)應(yīng)的開(kāi)啟場(chǎng)強(qiáng)為4.3 V/μm;當(dāng)陰陽(yáng)極間距為12.8cm時(shí),CNTs薄膜的強(qiáng)流脈沖發(fā)射電流峰值為747.2A(電流密度為38.OA/cm~2),對(duì)應(yīng)的開(kāi)啟場(chǎng)強(qiáng)為4.0 V/μm。