摘要：調節(jié)自配拋光液的H 2O 2含量、pH值、拋光盤轉速和拋光壓力,通過電化學實驗,探究單晶硅互拋拋光過程中拋光工藝參數(shù)對腐蝕電位、腐蝕電流和拋光速率的影響規(guī)律,并解釋其電化學機理。實驗結果表明:霧化施液單晶硅互拋拋光速率隨著pH值、H 2O 2濃度和拋光盤轉速的增大呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢,并在pH值為10.5、H 2O 2濃度為2%、拋光盤轉速為70 r/min處達到最大值,隨著拋光壓力的不斷增大而增大;通過霧化施液單晶硅互拋拋光實驗得到合理的工藝參數(shù):pH值為10.5、H 2O 2濃度為2%、拋光盤轉速為60 r/min、拋光壓力為7 psi,在該參數(shù)下,硅片的拋光速率達到635.2 nm/min,表面粗糙度達到4.01 nm。