摘要：考慮強場峰和耗盡電勢隨柵壓的變化后,使用新編的場效應(yīng)管能帶計算軟件計算了GaN HFET在不同柵、漏電壓下的場效應(yīng)管能帶和漂移及局域電子氣密度,發(fā)現(xiàn)了強場峰中耗盡區(qū)內(nèi)外漂移電子氣的耗盡臺階和能帶峰臺階以及耗盡區(qū)外的局域電子氣峰。研究了不同柵、漏電壓下的場效應(yīng)管能帶的耗盡過程,發(fā)現(xiàn)耗盡區(qū)接觸能帶峰后的巨大能帶畸變。提出了能帶峰耗盡的新概念。運用應(yīng)力偏置后測試偏置下局域電子氣勢壘和非穩(wěn)態(tài)異質(zhì)結(jié)的變化及局域電子氣行為確立了應(yīng)力偏置中內(nèi)溝道夾斷和外溝道強場峰的關(guān)聯(lián)。通過施加應(yīng)力偏置后在測試偏置下的非穩(wěn)態(tài)強場峰充電過程中兩種電子氣的不同輸運行為解釋了動態(tài)溝道電流中的快峰和慢峰,建立起基于場效應(yīng)管能帶理論的新的動態(tài)電流崩塌模型。