摘要：基于0.35μm SiGe BiCMOS工藝,設(shè)計(jì)了一款工作在5.15~5.85GHz的用于802.11ac系統(tǒng)的高集成射頻前端芯片。芯片集成低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)、功率放大器以及電源管理電路、功能控制電路、靜電放電(Electro-static discharge,ESD)保護(hù)電路。芯片面積為1.56mm×1.56mm,封裝采用尺寸為2.5mm×2.5mm×0.5mm的16管腳QFN封裝形式。芯片電源電壓為5V,控制電壓為3.3V。測(cè)試結(jié)果表明,發(fā)射通路的直流電流為120mA,增益為29dB,輸出P-1為27dBm,當(dāng)輸出功率為18dBm時(shí)誤差向量幅度為-34dB;接收通路的直流電流為6mA,增益為12.5dB,噪聲系數(shù)為2.4dB,輸出P-1為10dBm。同時(shí),芯片集成功率檢測(cè)功能可用于實(shí)現(xiàn)發(fā)射系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)增益控制。ESD測(cè)試結(jié)果顯示,各端口的ESD保護(hù)能力大于1500V(HBM模式)。