摘要：報(bào)道了一款采用0.35μm GaN HEMT工藝的C波段高增益功率模塊。模塊采用三級(jí)放大電路拓?fù)?正負(fù)電源結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。末級(jí)匹配電路采用低損耗高Q值的陶瓷片實(shí)現(xiàn),通過(guò)一級(jí)L-C阻抗變換和兩級(jí)威爾金森功分器,既進(jìn)行了阻抗匹配又實(shí)現(xiàn)了功率合成。前級(jí)和中間級(jí)匹配電路采用高集成GaAs匹配電路實(shí)現(xiàn),通過(guò)優(yōu)化前級(jí)和中間級(jí)的推動(dòng)比和級(jí)間匹配電路,降低了驅(qū)動(dòng)級(jí)功耗。整個(gè)模塊采用低熱膨脹率、高熱導(dǎo)率的銅-鉬-銅(CMC)載板實(shí)現(xiàn),解決了管芯熱匹配和熱傳導(dǎo)的問(wèn)題。通過(guò)這三種技術(shù)途徑有效實(shí)現(xiàn)了模塊的高效率、小型化和低成本。測(cè)試表明,該器件在5.2~5.9GHz頻帶內(nèi)、28V工作電壓下,飽和輸出功率達(dá)到了200W以上,此時(shí)功率增益為26dB、典型功率附加效率(PAE)為50%。