摘要：設計了一款超低功耗寬帶低噪聲放大器(LNA)。該LNA采用互補電流復用結構,該結構采用共柵級NMOS管和PMOS管作為輸入器件。采用有源并聯反饋結構以實現輸入網絡的低功耗,同時反饋級的電流被輸入晶體管復用,改善LNA的電流效率。利用襯底偏置方案,對反饋系數進行調節(jié)?；赥SMC 0.13μm CMOS工藝技術進行流片,芯片面積為0.007、2mm^2。芯片在片測試結果為:在1V電壓供電下,消耗了500μA的電流。LNA的3dB帶寬為0.1~2.5GHz,增益為9.5~13.6dB,噪聲系數低于4.7dB,輸入三階交調截止點為-9.3~-6.8dBm。