向固體電子學(xué)研究與進展雜志投稿有什么要求?
來源:優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-11-22 10:26:11 2302人看過
固體電子學(xué)研究與進展雜志投稿須知:
<一>文章關(guān)鍵要素,需有英文摘要。
<二>“一”后加“、”號,“l(fā)”后加“.”,(一)、(l)不加任何標點,‘第一”、‘首先”后面均要加“,”號。
<三>論文分類號為了便于檢索和編制索引,本刊按《中國圖書資料分類法》標注論文分類號,置于中文關(guān)鍵詞的下方。作者將文稿中留空,由本刊編輯部統(tǒng)一標注。
<四>所投稿件在作者著作權(quán)有效期內(nèi)的復(fù)制權(quán)、匯編權(quán)、發(fā)行權(quán)、翻譯權(quán)、信息網(wǎng)絡(luò)傳播權(quán)等可授權(quán)使用的權(quán)利授予本刊編輯部使用。
<五>基金項目。如果是省級以上基金項目研究成果,請注明(包括課題名稱和編號)。
固體電子學(xué)研究與進展雜志是一本電子類北大期刊, 創(chuàng)刊于1981年, 國內(nèi)刊號32-1110/TN, 國際刊號1000-3819, 雜志獲得過的榮譽有: 中國優(yōu)秀期刊遴選數(shù)據(jù)庫、中國期刊全文數(shù)據(jù)庫(CJFD)、中科雙效期刊、中國科技期刊優(yōu)秀期刊、北大圖書館收錄期刊、中國期刊方陣雙效期刊、等。
雜志近期文章一覽表
GaN HFET中的能帶峰耗盡
作者:薛舫時; 孔月嬋; 陳堂勝 2018年第06期55~115GHz寬帶GaN功率放大器MMIC
作者:戈勤; 徐波; 王維波; 陶洪琪; 吳少兵; 薛偉韜 2018年第06期C波段200W高增益GaN功率模塊
作者:呂立明; 奚紅杰; 賀瑩 2018年第06期基于SiGe BiCMOS工藝的802.11ac系統(tǒng)射頻前端芯片設(shè)計
作者:陳亮; 朱彥青; 陳悅鵬 2018年第06期基于可調(diào)有源并聯(lián)反饋技術(shù)的超低功耗寬帶低噪聲放大器
作者:高麗娜; 龐建麗 2018年第06期