中性束注入加熱下旋轉(zhuǎn)和Zeff對(duì)EAST中子出射影響的研究
作者：陳玉慶; 胡純棟; 吳斌; 鐘國(guó)強(qiáng); 謝亞紅; 王進(jìn)芳; 李軍; 王驥; 楊振; 劉成岳 中國(guó)科學(xué)院等離子體物理研究所; 合肥230031
摘要：為了判斷中性束注入加熱效果和研究等離子體宏觀旋轉(zhuǎn)和有效電荷數(shù)(Zeff)對(duì)中子出射的影響,結(jié)合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),利用TRANSP模擬程序研究了EAST中性束注入加熱時(shí),等離子體旋轉(zhuǎn)速度、有效電荷數(shù)Zeff以及等離子體儲(chǔ)能與中子出射率的關(guān)系。模擬結(jié)果表明,在能量為65keV、功率為2.89MW的中性束注入加熱時(shí),等離子體產(chǎn)生較大的旋轉(zhuǎn),旋轉(zhuǎn)減少快離子熱化時(shí)間,降低中子產(chǎn)額;有效電荷數(shù)Zeff增加時(shí),快離子投擲角散射增強(qiáng),束靶反應(yīng)減少,中子產(chǎn)額縮減。中子出射率隨等離子體儲(chǔ)能的增加而增加。
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