電極/表面接觸與SrTiO3陶瓷片介電性能的關系
作者：加晶晶; 董浩; 石大為; 黃秋安; 何創(chuàng)創(chuàng); 龐錦標; 楊昌平 湖北大學物理與電子科學學院; 湖北武漢430062; 貴州振華電子信息產(chǎn)業(yè)技術研究有限公司; 貴州貴陽550018
摘要：理論上,SrTiO3(以下簡稱STO)晶界層電容器介電常數(shù)取決于陶瓷片的晶粒大小、導電性、晶界絕緣層的厚度和介電常數(shù).但對實際的STO晶界層陶瓷電容器研究發(fā)現(xiàn),金屬電極與STO陶瓷片的表面接觸對電容器的電容和介電常數(shù)也有很大影響.研究表明,當電極/STO為非歐姆接觸時,STO陶瓷片的電容和介電常數(shù)較小;當電極/STO為歐姆接觸時,STO陶瓷片電容器的電容和介電常數(shù)增大.采用Ag漿制作電極時,通過調(diào)整燒制Ag電極的溫度和時間,當T=880℃,t=3.5h時,STO電容器的介電性能達到最佳,εr=22850,tgδ=1.0%.
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