摘要：光催化水分解反應在光催化的研究領(lǐng)域具有重要地位,尤其是具有可見光水全分解性能的半導體材料最為重要。目前能夠嚴格地按化學計量比實現(xiàn)可見光水全分解反應的半導體材料較少。水全分解半導體材料的匱乏是因為要實現(xiàn)可見光水全分解反應對半導體有兩個嚴格的要求:1)需要半導體的禁帶寬度落在1. 8~3. 2 eV的區(qū)間內(nèi);2)該半導體的導帶和價帶的電勢要分別能夠還原質(zhì)子制氫和氧化水分子制氧。把紫外-可見光譜劃分為400 nm以下,500 nm以下,600 nm以下,700 nm以下和780 nm以下5個區(qū)間,著重介紹了對可見光有響應的水全分解半導體材料的最新研究進展,最后對此類材料的發(fā)展趨勢進行了展望。