摘要：半導體光刻技術帶動著光源逐步向短波輻射方向發(fā)展,以KrF-248nm、ArF-193nm光源為代表的準分子激光光刻光源逐步取代了以往基于汞燈的光刻光源,成為當前半導體光刻技術發(fā)展的主流光源。目前應用于光刻光源的光學元件主要以在深紫外波段具有優(yōu)異傳輸特性的氟化鈣(CaF2)材料為主。針對光源研發(fā)過程中涉及的光學元件與激光相互作用時會發(fā)生損傷的問題,從CaF2材料自身的物化特性、激光輻射特性以及激光與材料相互作用產(chǎn)生損傷的機理三個方面,綜合分析了CaF2材料抗紫外激光研究的發(fā)展情況,比較了不同應用背景下CaF2材料的激光損傷特性,總結歸納了提高光學元件激光損傷閾值的措施和方法。