摘要：隨著現(xiàn)代電子產(chǎn)品的快速發(fā)展,研發(fā)具有高效的熱管理材料正成為全球性的挑戰(zhàn)。研究表明界面熱阻是限制導(dǎo)熱復(fù)合熱管理材料高導(dǎo)熱性能的最主要因素。該文設(shè)計(jì)并利用水熱法合成了低界面熱阻的六方氮化硼(BN)/二硫化鉬(MoS2)異質(zhì)結(jié)構(gòu),并將高導(dǎo)熱性的BN/MoS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)填充到環(huán)氧樹脂中制備納米復(fù)合材料。在水熱反應(yīng)過(guò)程中,MoS2生長(zhǎng)在BN納米片上,確保了較好的界面接觸。其中,BN充當(dāng)結(jié)構(gòu)骨架和傳熱通道,而MoS2納米片具有較大的比表面積,故能有效地收集熱量。借助MoS2的浸潤(rùn)性,可以降低填料和聚合物基質(zhì)之間的界面熱阻。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,合成的BN/MoS2-環(huán)氧納米復(fù)合材料導(dǎo)熱率從0.254 W/(m·K)提高到0.526 W/(m·K),比純環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱率提升了107%。該研究結(jié)果有助于開發(fā)新型高性能導(dǎo)熱材料。