Journal of Semiconductors雜志社地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲35號

雜志基本信息介紹

主編：李樹深

影響因子：0.36

出版地區(qū)：北京

國內(nèi)刊號：11-5781/TN

國際刊號：1674-4926

雜志創(chuàng)刊于1980年， 主要獲得過的榮譽(yù)有： 全國優(yōu)秀科技期刊、中國科技期刊優(yōu)秀期刊、等。

Journal of Semiconductors雜志文章特色介紹：

<一>半導(dǎo)體材料與器件：介紹半導(dǎo)體材料和器件的研究與應(yīng)用，包括晶體生長、材料表征和器件制備等方面的科學(xué)突破和技術(shù)創(chuàng)新。

<二>半導(dǎo)體器件物理與模擬：研究半導(dǎo)體器件的物理原理和模擬方法，包括器件行為、載流子輸運(yùn)和能帶結(jié)構(gòu)等方面的理論研究和數(shù)值模擬。

<三>光電子器件與光學(xué)通信：探討光電子器件和光學(xué)通信的發(fā)展和應(yīng)用，包括光纖通信、光電探測和光子集成等方面的科學(xué)研究和工程創(chuàng)新。

<四>硅基和復(fù)合半導(dǎo)體器件：介紹硅基和復(fù)合半導(dǎo)體器件的研究和開發(fā)，包括CMOS微電子器件、功率器件和傳感器等方面的材料和工藝創(chuàng)新。

<五>磁性半導(dǎo)體和自旋電子學(xué)：研究磁性半導(dǎo)體和自旋電子學(xué)的理論和實(shí)踐，包括自旋輸運(yùn)、自旋操控和磁性存儲等方面的研究成果和應(yīng)用探索。

<六>半導(dǎo)體光電子學(xué)與光子學(xué)：介紹半導(dǎo)體光電子學(xué)和光子學(xué)的進(jìn)展和應(yīng)用，包括激光器、發(fā)光器件和光傳感器等方面的物理機(jī)制和器件設(shè)計(jì)。

<七>納米半導(dǎo)體與量子器件：研究納米半導(dǎo)體和量子器件的特性和應(yīng)用，包括量子點(diǎn)、量子阱和納米線等方面的制備、調(diào)控和應(yīng)用探索。

<八>各向異性和多功能材料：探討各向異性和多功能材料在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用，包括二維材料、有機(jī)半導(dǎo)體和過渡金屬氧化物等方面的研究成果和應(yīng)用前景。

<九>半導(dǎo)體器件可靠性和可持續(xù)性：研究半導(dǎo)體器件的可靠性和可持續(xù)性問題，包括老化機(jī)制、失效分析和環(huán)境友好材料等方面的研究和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。

<十>新興半導(dǎo)體材料和器件：介紹新興半導(dǎo)體材料和器件的突破和應(yīng)用，包括有機(jī)半導(dǎo)體、拓?fù)洳牧虾妥杂牧系确矫娴那把匮芯亢涂萍紕?chuàng)新。