在晶元級Si襯底上制備高深寬比SiO2周期圖形
作者：戚永樂; 張瑞英; 仇伯倉; 王逸群; 王庶民 中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米器件與應用重點實驗室; 蘇州215123; 中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米器件及相關(guān)材料研究部; 蘇州215123; 中國科學技術(shù)大學納米學院; 蘇州215123; 清華大學深圳研究院; 深圳518055; 中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米加工平臺; 蘇州215123; 中國科學院上海微系統(tǒng)所信息功能材料國家重點實驗室; 上海200050
摘要：本文主要介紹了通過步進式光刻、反相剝離和F基等離子體刻蝕工藝在晶元級si襯底上制備SiO2圖形的過程，在6in（15．24cm）Si襯底上實現(xiàn)了均勻的周期分別為1．0μm和1．6μm、深寬比分別為2．3和1．4的SiO2周期性掩膜．尤其在周期為1μm的條件下，窗口通過過曝光和反相剝離工藝減小到330nm，該尺寸超越了試驗用步進式光刻設(shè)備的極限精度尺寸．在通過HF和KOH溶液處理后，得到了帶有V型槽和較光滑側(cè)壁的SiO2圖形的Si襯底，該圖形適用于Ⅲ-V半導體通過深寬比位錯捕獲技術(shù)的材料生長．這種均勻的晶元級圖案制備方案促進了圖形化Si襯底技術(shù)和螄基Ⅲ-V半導體異質(zhì)外延．
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