Journal Title:Ieee Electron Device Letters
IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.
IEEE Electron Device Letters 發(fā)表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設(shè)計(jì)、性能和可靠性有關(guān)的原創(chuàng)性和重要貢獻(xiàn),涉及絕緣體、金屬、有機(jī)材料、微等離子體、半導(dǎo)體、量子效應(yīng)結(jié)構(gòu)、真空器件和新興材料,應(yīng)用于生物電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)電子學(xué)、計(jì)算、通信、顯示器、微機(jī)電學(xué)、成像、微執(zhí)行器、納米電子學(xué)、光電子學(xué)、光伏、功率集成電路和微傳感器。
Ieee Electron Device Letters創(chuàng)刊于1980年,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版,收稿方向涵蓋工程技術(shù) - 工程:電子與電氣全領(lǐng)域,此刊是該細(xì)分領(lǐng)域中屬于非常不錯(cuò)的SCI期刊,在行業(yè)細(xì)分領(lǐng)域中學(xué)術(shù)影響力較大,專業(yè)度認(rèn)可很高,所以對(duì)原創(chuàng)文章要求創(chuàng)新性較高,如果您的文章質(zhì)量很高,可以嘗試。平均審稿速度 約1.3個(gè)月 ,影響因子指數(shù)4.1,該期刊近期沒(méi)有被列入國(guó)際期刊預(yù)警名單,廣大學(xué)者值得一試。
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
名詞解釋:
中科院分區(qū)也叫中科院JCR分區(qū),基礎(chǔ)版分為13個(gè)大類學(xué)科,然后按照各類期刊影響因子分別將每個(gè)類別分為四個(gè)區(qū),影響因子5%為1區(qū),6%-20%為2區(qū),21%-50%為3區(qū),其余為4區(qū)。
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 94 / 352 |
73.4% |
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q1 | 77 / 354 |
78.39% |
名詞解釋:
WOS即Web of Science,是全球獲取學(xué)術(shù)信息的重要數(shù)據(jù)庫(kù),Web of Science包括自然科學(xué)、社會(huì)科學(xué)、藝術(shù)與人文領(lǐng)域的信息,來(lái)自全世界近9,000種最負(fù)盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學(xué)術(shù)會(huì)議多學(xué)科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時(shí)會(huì)按照某一個(gè)學(xué)科領(lǐng)域劃分,根據(jù)這一學(xué)科所有按照影響因子數(shù)值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影響因子值高的就會(huì)在高分區(qū)中,最后的劃分結(jié)果分別是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表質(zhì)量最高。
CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||
8.2 | 1.25 | 1.5 |
|
名詞解釋:
CiteScore:衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù)。
SJR:SCImago 期刊等級(jí)衡量經(jīng)過(guò)加權(quán)后的期刊受引用次數(shù)。引用次數(shù)的加權(quán)值由施引期刊的學(xué)科領(lǐng)域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來(lái)源出版物的標(biāo)準(zhǔn)化影響將實(shí)際受引用情況對(duì)照期刊所屬學(xué)科領(lǐng)域中預(yù)期的受引用情況進(jìn)行衡量。
是否OA開放訪問(wèn): | h-index: | 年文章數(shù): |
未開放 | 135 | 477 |
Gold OA文章占比: | 2021-2022最新影響因子(數(shù)據(jù)來(lái)源于搜索引擎): | 開源占比(OA被引用占比): |
4.62% | 4.1 | 0.05... |
研究類文章占比:文章 ÷(文章 + 綜述) | 期刊收錄: | 中科院《國(guó)際期刊預(yù)警名單(試行)》名單: |
100.00% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子):
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量:
歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù):
歷年自引數(shù)據(jù):
2023-2024國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì):
國(guó)家/地區(qū) | 數(shù)量 |
CHINA MAINLAND | 577 |
USA | 282 |
South Korea | 174 |
Taiwan | 123 |
Japan | 65 |
England | 60 |
India | 49 |
Belgium | 37 |
GERMANY (FED REP GER) | 37 |
France | 32 |
2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì):
機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 84 |
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 70 |
XIDIAN UNIVERSITY | 56 |
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... | 49 |
HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE ... | 48 |
PEKING UNIVERSITY | 42 |
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE... | 42 |
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 36 |
IMEC | 35 |
NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY | 35 |
近年引用統(tǒng)計(jì):
期刊名稱 | 數(shù)量 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
IEEE T ELECTRON DEV | 865 |
APPL PHYS LETT | 812 |
J APPL PHYS | 318 |
ADV MATER | 217 |
NANO LETT | 150 |
ACS APPL MATER INTER | 142 |
SCI REP-UK | 138 |
NATURE | 132 |
APPL PHYS EXPRESS | 119 |
近年被引用統(tǒng)計(jì):
期刊名稱 | 數(shù)量 |
IEEE T ELECTRON DEV | 1587 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
JPN J APPL PHYS | 594 |
APPL PHYS LETT | 460 |
IEEE J ELECTRON DEVI | 445 |
APPL PHYS EXPRESS | 366 |
SEMICOND SCI TECH | 277 |
J APPL PHYS | 268 |
SOLID STATE ELECTRON | 257 |
ECS J SOLID STATE SC | 249 |
近年文章引用統(tǒng)計(jì):
文章名稱 | 數(shù)量 |
Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical ... | 38 |
An Artificial Neuron Based on a ... | 36 |
Recessed-Gate Enhancement-Mode b... | 28 |
Spin Logic Devices via Electric ... | 27 |
Current Aperture Vertical beta-G... | 27 |
beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Eff... | 26 |
Vertical Ga2O3 Schottky Barrier ... | 24 |
1.85 kV Breakdown Voltage in Lat... | 24 |
Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barr... | 23 |
First Demonstration of a Logic-P... | 22 |
同小類學(xué)科的其他優(yōu)質(zhì)期刊 | 影響因子 | 中科院分區(qū) |
International Journal Of Ventilation | 1.1 | 4區(qū) |
Journal Of Environmental Chemical Engineering | 7.4 | 2區(qū) |
Journal Of Energy Storage | 8.9 | 2區(qū) |
Complexity | 1.7 | 4區(qū) |
Chemical Engineering Journal | 13.3 | 1區(qū) |
International Journal Of Hydrogen Energy | 8.1 | 2區(qū) |
Electronics | 2.6 | 3區(qū) |
Aerospace | 2.1 | 3區(qū) |
Buildings | 3.1 | 3區(qū) |
Shock Waves | 1.7 | 4區(qū) |
若用戶需要出版服務(wù),請(qǐng)聯(lián)系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。