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Journal Of Semiconductor Technology And Science

  • ISSN:1598-1657
  • ESSN:2233-4866
  • 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)稱:J SEMICOND TECH SCI
  • 出版地區(qū):SOUTH KOREA
  • 出版周期:6 issues/year
  • 研究方向:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC - PHYSICS, APPLIED
  • 出版年份:2001
  • 語(yǔ)言:English
  • 是否OA:未開(kāi)放
  • 學(xué)科領(lǐng)域

    工程技術(shù)
  • 中科院分區(qū)

    4區(qū)
  • JCR分區(qū)

    Q4
  • IF影響因子

    0.5
  • 是否預(yù)警

期刊簡(jiǎn)介

Journal Title:Journal Of Semiconductor Technology And Science

Journal of Semiconductor Technology and Science is published to provide a forum for R&D people involved in every aspect of the integrated circuit technology, i.e., VLSI fabrication process technology, VLSI device technology, VLSI circuit design and other novel applications of this mass production technology. When IC was invented, these people worked together in one place. However, as the field of IC expanded, our individual knowledge became narrower, creating different branches in the technical society, which has made it more difficult to communicate as a whole. The fisherman, however, always knows that he can capture more fish at the border where warm and cold-water meet. Thus, we decided to go backwards gathering people involved in all VLSI technology in one place.

中文簡(jiǎn)介

《半導(dǎo)體技術(shù)與科學(xué)雜志》的出版旨在為參與集成電路技術(shù)各個(gè)方面的研發(fā)人員提供一個(gè)論壇,即 VLSI 制造工藝技術(shù)、VLSI 設(shè)備技術(shù)、VLSI 電路設(shè)計(jì)以及這種大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)的其他新應(yīng)用。當(dāng) IC 被發(fā)明時(shí),這些人在一個(gè)地方一起工作。然而,隨著 IC 領(lǐng)域的擴(kuò)大,我們的個(gè)人知識(shí)變得越來(lái)越狹窄,在技術(shù)社會(huì)中產(chǎn)生了不同的分支,這使得整體交流變得更加困難。然而,漁夫總是知道他可以在暖水和冷水交匯的邊界捕獲更多的魚(yú)。因此,我們決定倒退,將所有參與 VLSI 技術(shù)的人員聚集在一個(gè)地方。

期刊點(diǎn)評(píng)

Journal Of Semiconductor Technology And Science創(chuàng)刊于2001年,由Institute of Electronics Engineers of Korea出版商出版,收稿方向涵蓋ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC - PHYSICS, APPLIED全領(lǐng)域,此期刊水平偏中等偏靠后,在所屬細(xì)分領(lǐng)域中專業(yè)影響力一般,過(guò)審相對(duì)較易,如果您文章質(zhì)量佳,選擇此期刊,發(fā)表機(jī)率較高。平均審稿速度 較慢,6-12周 ,影響因子指數(shù)0.5,該期刊近期沒(méi)有被列入國(guó)際期刊預(yù)警名單,廣大學(xué)者值得一試。

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023年12月升級(jí)版)

大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)

名詞解釋:
中科院分區(qū)也叫中科院JCR分區(qū),基礎(chǔ)版分為13個(gè)大類(lèi)學(xué)科,然后按照各類(lèi)期刊影響因子分別將每個(gè)類(lèi)別分為四個(gè)區(qū),影響因子5%為1區(qū),6%-20%為2區(qū),21%-50%為3區(qū),其余為4區(qū)。

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2022年12月升級(jí)版)

大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月舊的升級(jí)版)

大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月基礎(chǔ)版)

大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月升級(jí)版)

大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2020年12月舊的升級(jí)版)

大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)

WOS分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023-2024年最新版)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 329 / 352

6.7%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 175 / 179

2.5%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 342 / 354

3.53%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 176 / 179

1.96%

名詞解釋:
WOS即Web of Science,是全球獲取學(xué)術(shù)信息的重要數(shù)據(jù)庫(kù),Web of Science包括自然科學(xué)、社會(huì)科學(xué)、藝術(shù)與人文領(lǐng)域的信息,來(lái)自全世界近9,000種最負(fù)盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學(xué)術(shù)會(huì)議多學(xué)科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時(shí)會(huì)按照某一個(gè)學(xué)科領(lǐng)域劃分,根據(jù)這一學(xué)科所有按照影響因子數(shù)值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影響因子值高的就會(huì)在高分區(qū)中,最后的劃分結(jié)果分別是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表質(zhì)量最高。

CiteScore分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore排名
0.9 0.181 0.216
學(xué)科 分區(qū) 排名 百分位
大類(lèi):Engineering 小類(lèi):Electrical and Electronic Engineering Q4 654 / 797

18%

大類(lèi):Engineering 小類(lèi):Electronic, Optical and Magnetic Materials Q4 248 / 284

12%

名詞解釋:
CiteScore:衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù)。
SJR:SCImago 期刊等級(jí)衡量經(jīng)過(guò)加權(quán)后的期刊受引用次數(shù)。引用次數(shù)的加權(quán)值由施引期刊的學(xué)科領(lǐng)域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來(lái)源出版物的標(biāo)準(zhǔn)化影響將實(shí)際受引用情況對(duì)照期刊所屬學(xué)科領(lǐng)域中預(yù)期的受引用情況進(jìn)行衡量。

其他數(shù)據(jù)

是否OA開(kāi)放訪問(wèn): h-index: 年文章數(shù):
未開(kāi)放 15 37
Gold OA文章占比: 2021-2022最新影響因子(數(shù)據(jù)來(lái)源于搜索引擎): 開(kāi)源占比(OA被引用占比):
0.00% 0.5 0
研究類(lèi)文章占比:文章 ÷(文章 + 綜述) 期刊收錄: 中科院《國(guó)際期刊預(yù)警名單(試行)》名單:
97.30% SCIE

歷年IF值(影響因子):

歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量:

歷年中科院JCR大類(lèi)分區(qū)數(shù)據(jù):

歷年自引數(shù)據(jù):

發(fā)文統(tǒng)計(jì)

2023-2024國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì):

國(guó)家/地區(qū) 數(shù)量
South Korea 220
CHINA MAINLAND 14
USA 8
India 5
Japan 3
Taiwan 3
Vietnam 3
England 1
Indonesia 1
Iran 1

2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì):

機(jī)構(gòu) 數(shù)量
HANYANG UNIVERSITY 24
HONGIK UNIVERSITY 21
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) 17
KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIE... 15
CHUNGNAM NATIONAL UNIVERSITY 14
KWANGWOON UNIVERSITY 14
SAMSUNG 14
EWHA WOMANS UNIVERSITY 12
SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKKU) 12
SOGANG UNIVERSITY 10

近年引用統(tǒng)計(jì):

期刊名稱 數(shù)量
IEEE J SOLID-ST CIRC 114
IEEE T ELECTRON DEV 63
IEEE ELECTR DEVICE L 45
IEEE T CIRCUITS-I 45
APPL PHYS LETT 43
PHYS REV B 33
J APPL PHYS 30
IEEE T CIRCUITS-II 29
J SEMICOND TECH SCI 26
IEEE T VLSI SYST 16

近年被引用統(tǒng)計(jì):

期刊名稱 數(shù)量
J SEMICOND TECH SCI 26
J NANOSCI NANOTECHNO 24
MICROMACHINES-BASEL 17
IEEE ACCESS 13
ELECTRONICS-SWITZ 8
IEEE ELECTR DEVICE L 8
MATER RES EXPRESS 7
IEEE J ELECTRON DEVI 6
IEEE T ELECTRON DEV 6
JPN J APPL PHYS 6

近年文章引用統(tǒng)計(jì):

文章名稱 數(shù)量
A 4-Channel 8-Gb/s/ch VCSEL Driv... 4
A Watt-level Broadband Power Amp... 4
A 3-Gb/s Equalizer with an Adapt... 4
Gallium Nitride PIN Avalanche Ph... 3
Processing and Characterization ... 3
Investigation on Phase-change Sy... 3
Properties of Resistive Switchin... 3
Xenon Flash Lamp Annealing on a-... 3
Recessed AlGaN/GaN UV Phototrans... 2
Investigation of Wafer Warpage I... 2

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免責(zé)聲明

若用戶需要出版服務(wù),請(qǐng)聯(lián)系出版商:RM #907 SCIENCE & TECHNOLOGY NEW BLDG, 635-4 YUCKSAM-DONG, SEOUL, SOUTH KOREA, KANGNAM-KU, 135-703。