Journal Title:Ieee Journal Of The Electron Devices Society
The IEEE Journal of the Electron Devices Society (J-EDS) is an open-access, fully electronic scientific journal publishing papers ranging from fundamental to applied research that are scientifically rigorous and relevant to electron devices. The J-EDS publishes original and significant contributions relating to the theory, modelling, design, performance, and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanodevices, optoelectronics, photovoltaics, power IC's, and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are, also, published. And, occasionally special issues with a collection of papers on particular areas in more depth and breadth are, also, published. J-EDS publishes all papers that are judged to be technically valid and original.
《IEEE 電子設(shè)備學(xué)會雜志》(J-EDS)是一本開放獲取的全電子科學(xué)期刊,出版從基礎(chǔ)研究到應(yīng)用研究的論文,這些論文科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn),與電子設(shè)備相關(guān)。J-EDS 發(fā)表與電子和離子集成電路設(shè)備和互連的理論、建模、設(shè)計、性能和可靠性有關(guān)的原創(chuàng)和重要貢獻(xiàn),涉及絕緣體、金屬、有機(jī)材料、微等離子體、半導(dǎo)體、量子效應(yīng)結(jié)構(gòu)、真空設(shè)備和新興材料,應(yīng)用于生物電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)電子學(xué)、計算、通信、顯示器、微機(jī)電、成像、微致動器、納米設(shè)備、光電子學(xué)、光伏、電源 IC 和微傳感器。還出版了有關(guān)這些主題的教程和評論論文。有時,還會出版特別版,其中包含有關(guān)特定領(lǐng)域的更深入和更廣泛的論文集。J-EDS 出版所有被判定為技術(shù)上有效和原創(chuàng)的論文。
Ieee Journal Of The Electron Devices Society創(chuàng)刊于2013年,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版,收稿方向涵蓋Biochemistry, Genetics and Molecular Biology - Biotechnology全領(lǐng)域,此刊是中等級別的SCI期刊,所以過審相對來講不是特別難,但是該刊專業(yè)認(rèn)可度不錯,仍然是一本值得選擇的SCI期刊 。平均審稿速度 9 Weeks ,影響因子指數(shù)2,該期刊近期沒有被列入國際期刊預(yù)警名單,廣大學(xué)者值得一試。
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 4區(qū) | 否 | 否 |
名詞解釋:
中科院分區(qū)也叫中科院JCR分區(qū),基礎(chǔ)版分為13個大類學(xué)科,然后按照各類期刊影響因子分別將每個類別分為四個區(qū),影響因子5%為1區(qū),6%-20%為2區(qū),21%-50%為3區(qū),其余為4區(qū)。
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 3區(qū) | 否 | 否 |
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 202 / 352 |
42.8% |
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 179 / 354 |
49.58% |
名詞解釋:
WOS即Web of Science,是全球獲取學(xué)術(shù)信息的重要數(shù)據(jù)庫,Web of Science包括自然科學(xué)、社會科學(xué)、藝術(shù)與人文領(lǐng)域的信息,來自全世界近9,000種最負(fù)盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學(xué)術(shù)會議多學(xué)科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時會按照某一個學(xué)科領(lǐng)域劃分,根據(jù)這一學(xué)科所有按照影響因子數(shù)值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影響因子值高的就會在高分區(qū)中,最后的劃分結(jié)果分別是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表質(zhì)量最高。
CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||||||
5.2 | 0.505 | 0.955 |
|
名詞解釋:
CiteScore:衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù)。
SJR:SCImago 期刊等級衡量經(jīng)過加權(quán)后的期刊受引用次數(shù)。引用次數(shù)的加權(quán)值由施引期刊的學(xué)科領(lǐng)域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來源出版物的標(biāo)準(zhǔn)化影響將實際受引用情況對照期刊所屬學(xué)科領(lǐng)域中預(yù)期的受引用情況進(jìn)行衡量。
是否OA開放訪問: | h-index: | 年文章數(shù): |
開放 | 23 | 92 |
Gold OA文章占比: | 2021-2022最新影響因子(數(shù)據(jù)來源于搜索引擎): | 開源占比(OA被引用占比): |
97.60% | 2 | 0.97... |
研究類文章占比:文章 ÷(文章 + 綜述) | 期刊收錄: | 中科院《國際期刊預(yù)警名單(試行)》名單: |
98.91% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子):
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量:
歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù):
歷年自引數(shù)據(jù):
2023-2024國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計:
國家/地區(qū) | 數(shù)量 |
CHINA MAINLAND | 168 |
USA | 99 |
Taiwan | 98 |
South Korea | 74 |
Japan | 61 |
India | 40 |
France | 29 |
GERMANY (FED REP GER) | 27 |
Switzerland | 23 |
Belgium | 20 |
2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計:
機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... | 35 |
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 22 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 20 |
ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE ... | 18 |
NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY | 17 |
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE... | 17 |
NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY | 15 |
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) | 15 |
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNO... | 15 |
PEKING UNIVERSITY | 14 |
近年引用統(tǒng)計:
期刊名稱 | 數(shù)量 |
IEEE T ELECTRON DEV | 499 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 445 |
APPL PHYS LETT | 311 |
J APPL PHYS | 180 |
SOLID STATE ELECTRON | 105 |
IEEE J ELECTRON DEVI | 75 |
JPN J APPL PHYS | 73 |
NANO LETT | 64 |
IEEE J SOLID-ST CIRC | 58 |
NATURE | 53 |
近年被引用統(tǒng)計:
期刊名稱 | 數(shù)量 |
IEEE T ELECTRON DEV | 140 |
IEEE J ELECTRON DEVI | 75 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 59 |
SEMICOND SCI TECH | 36 |
IEEE ACCESS | 29 |
JPN J APPL PHYS | 27 |
SOLID STATE ELECTRON | 22 |
APPL PHYS LETT | 20 |
MICROMACHINES-BASEL | 20 |
J APPL PHYS | 18 |
近年文章引用統(tǒng)計:
文章名稱 | 數(shù)量 |
FinFET Versus Gate-All-Around Na... | 21 |
Characterization and Compact Mod... | 19 |
Characterization and Modeling of... | 14 |
Cryogenic Temperature Characteri... | 11 |
Hysteresis Reduction in Negative... | 11 |
Tunneling Transistors Based on M... | 11 |
Direct Correlation of Ferroelect... | 10 |
Ferroelectric HfO2 Tunnel Juncti... | 10 |
Development and Fabrication of A... | 10 |
Experimental Investigations of S... | 10 |
同小類學(xué)科的其他優(yōu)質(zhì)期刊 | 影響因子 | 中科院分區(qū) |
International Journal Of Ventilation | 1.1 | 4區(qū) |
Journal Of Environmental Chemical Engineering | 7.4 | 2區(qū) |
Journal Of Energy Storage | 8.9 | 2區(qū) |
Complexity | 1.7 | 4區(qū) |
Chemical Engineering Journal | 13.3 | 1區(qū) |
International Journal Of Hydrogen Energy | 8.1 | 2區(qū) |
Electronics | 2.6 | 3區(qū) |
Aerospace | 2.1 | 3區(qū) |
Buildings | 3.1 | 3區(qū) |
Shock Waves | 1.7 | 4區(qū) |
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