摘要：提出了一種提取GaN功率HEMT器件熱阻抗的新方法。該方法對(duì)熱阻抗自身的功耗非線性特性進(jìn)行了考慮,克服了傳統(tǒng)功率器件熱阻抗提取方法,通常只能獲得熱阻抗實(shí)部(直流熱電阻特性),不能提取熱阻抗虛部(交流熱電容特性),以及難以確定熱阻抗自身隨功耗變化特性等的缺陷,該方法在河北半導(dǎo)體研究所0.25μm AlGaN/GaN HEMT工藝中得到驗(yàn)證。