摘要：為更好掌握摻磷多晶硅腐蝕速率的變化規(guī)律,進(jìn)而保障和改進(jìn)MOS晶體管的柵極質(zhì)量,從直接影響腐蝕速率的關(guān)鍵工步,包括多晶硅摻磷的均勻性及摻磷后表面氧化層處理兩個(gè)方面入手,對擴(kuò)散原理、摻雜方式、三氯氧磷熱分解過程、摻磷多晶硅等原理進(jìn)行了闡述,并分析了薄膜質(zhì)量與各項(xiàng)工藝參數(shù)的關(guān)系。先通過理論分析,確定在同等工藝條件下,摻磷時(shí)間以及摻磷后表面氧化層處理方法是直接影響摻磷多晶硅腐蝕速率的關(guān)鍵工藝,然后在工藝實(shí)驗(yàn)中實(shí)際監(jiān)控腐蝕速率的變化,對不同摻磷時(shí)間以及摻磷后處理方式的樣片進(jìn)行對比驗(yàn)證,從測試結(jié)果中確定最佳工藝條件。本研究可為摻磷多晶硅工藝質(zhì)量控制方法提供依據(jù)。