摘要：基于0.25μm GaAs pHEMT工藝,設(shè)計(jì)了一種2~20GHz的超寬帶高效率功率放大器。該功率放大器采用非均勻分布式結(jié)構(gòu),可以為各級(jí)晶體管提供最佳負(fù)載阻抗。引入了漏極并聯(lián)電容,以平衡輸入與輸出傳輸線的相速度,提高了輸出功率和效率。在柵極引入了RC并聯(lián)電路,能提高輸入傳輸線的截止頻率,保證電路穩(wěn)定。仿真結(jié)果表明,在2~20GHz的頻帶范圍內(nèi),該功率放大器的增益為(10.7±1.2)dB,輸入回波損耗小于-10dB,飽和輸出功率為28.8~29.7dBm,功率附加效率(PAE)為33%~47%。