退火溫度對(duì)真空熱蒸發(fā)法ZnS:In薄膜光電性能的影響
作者：陳金伙 李文劍 程樹英 福州大學(xué)物理與信息工程學(xué)院 福建福州350108
摘要：采用真空熱蒸發(fā)工藝，在ITO基片上分別制備ZnS薄膜和In薄膜，在正交實(shí)驗(yàn)條件下，以2％摻雜濃度的In原子摻雜可獲得較高的載流子濃度，在此基礎(chǔ)上，研究了不同退火溫度對(duì)ZnS：In薄膜的光、電性能的影響。
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