CMOS抗輻射加固集成電路單粒子效應(yīng)仿真研究進(jìn)展
作者：趙元富; 王亮; 舒磊; 劉家齊; 劉琳; 岳素格; 李同德; 李園; 顧問 北京微電子技術(shù)研究所; 北京100076; 哈爾濱工業(yè)大學(xué)航天學(xué)院; 哈爾濱150001; 北京工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)院; 北京100124
摘要：以CMOS存儲單元為研究對象，介紹了仿真在CMOS抗輻射加固集成電路單粒子效應(yīng)機(jī)理及電路抗單粒子加固設(shè)計(jì)方面的研究進(jìn)展，討論了特征尺寸的縮小對單粒子輻射效應(yīng)的影響，提出了利用交叉隔離和錯誤猝熄的方法改進(jìn)傳統(tǒng)存儲單元的加固性能，并通過試驗(yàn)驗(yàn)證了該方法的有效性。
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