摘要：當前微流控表面增強拉曼散射(SERS)檢測領(lǐng)域常用的貴金屬納米顆粒溶膠單位體積內(nèi)熱點區(qū)域數(shù)量有限且熱點區(qū)域范圍較小,而貴金屬納米三維陣列結(jié)構(gòu)加工時間長,成本高昂并存在“記憶效應(yīng)”。本文提出了集成到微流道的復(fù)合Ag/SiO2正弦光柵SERS基底結(jié)構(gòu),可以利用激光干涉光刻技術(shù)進行制備,無需預(yù)制掩膜版,可實現(xiàn)大面積、低成本SERS基底簡易快速制備。利用嚴格耦合波分析方法(RCWA)建立了復(fù)合正弦光柵表面電場增強數(shù)學評估模型,推導了表面等離子體共振(SPP)耦合吸收率數(shù)學模型,分析了入射光、復(fù)合正弦光柵結(jié)構(gòu)與外界環(huán)境介電常數(shù)的優(yōu)化匹配關(guān)系,得到了入射光785nm條件下的最佳復(fù)合正弦光柵結(jié)構(gòu)。通過制備加工并實驗驗證了復(fù)合正弦光柵的SERS性能,SERS增強因子(EF)能夠達到10^4。